Pinagsasama ng proseso ng 7N tellurium purification ang mga teknolohiya ng zone refining at directional crystallization. Ang mga pangunahing detalye at parameter ng proseso ay nakabalangkas sa ibaba:
1. Proseso ng Pagpino ng Sona
Disenyo ng Kagamitan
Mga bangkang pangtunaw na may maraming patong na hugis bilog na sona: Diyametro 300–500 mm, taas 50–80 mm, gawa sa mataas na kadalisayan na quartz o grapayt.
Sistema ng pag-init: Mga kalahating bilog na resistive coil na may katumpakan sa pagkontrol ng temperatura na ±0.5°C at pinakamataas na temperatura ng pagpapatakbo na 850°C.
Mga Pangunahing Parameter
Vacuum: ≤1×10⁻³ Pa sa kabuuan upang maiwasan ang oksihenasyon at kontaminasyon.
Bilis ng paglalakbay sa sona: 2–5 mm/h (unidirectional na pag-ikot sa pamamagitan ng drive shaft).
Gradient ng temperatura: 725±5°C sa harap ng tunaw na sona, lumalamig sa <500°C sa dulong bahagi.
Pagdaan: 10–15 cycle; kahusayan sa pag-alis >99.9% para sa mga dumi na may mga koepisyente ng segregasyon na <0.1 (hal., Cu, Pb).
2. Proseso ng Direksyonal na Kristalisasyon
Paghahanda ng Pagkatunaw
Materyal: 5N tellurium na dinalisay sa pamamagitan ng zone refining.
Mga kondisyon ng pagkatunaw: Natutunaw sa ilalim ng inert Ar gas (≥99.999% kadalisayan) sa 500–520°C gamit ang high-frequency induction heating.
Proteksyon sa pagkatunaw: Mataas na kadalisayan na takip ng grapayt upang mapigilan ang pagkasumpungin; ang lalim ng tinunaw na pool ay pinapanatili sa 80–120 mm.
Kontrol sa Kristalisasyon
Bilis ng paglaki: 1–3 mm/h na may patayong gradient ng temperatura na 30–50°C/cm.
Sistema ng pagpapalamig: Base na tanso na pinalamig ng tubig para sa sapilitang paglamig sa ilalim; radiative cooling sa itaas.
Paghihiwalay ng mga dumi: Ang Fe, Ni, at iba pang mga dumi ay pinayaman sa mga hangganan ng butil pagkatapos ng 3-5 siklo ng muling pagkatunaw, na binabawasan ang mga konsentrasyon sa mga antas ng ppb.
3. Mga Sukatan ng Kontrol sa Kalidad
Sanggunian ng Pamantayang Halaga ng Parameter
Pangwakas na kadalisayan ≥99.99999% (7N)
Kabuuang mga dumi ng metal ≤0.1 ppm
Nilalaman ng oksiheno ≤5 ppm
Paglihis ng oryentasyon ng kristal ≤2°
Resistivity (300 K) 0.1–0.3 Ω·cm
Mga Kalamangan ng Proseso
Kakayahang Iskalahin: Ang mga multi-layer annular zone melting boat ay nagpapataas ng kapasidad ng batch nang 3–5× kumpara sa mga kumbensyonal na disenyo.
Kahusayan: Ang tumpak na vacuum at thermal control ay nagbibigay-daan sa mataas na antas ng pag-aalis ng dumi.
Kalidad ng kristal: Tinitiyak ng napakabagal na bilis ng paglaki (<3 mm/h) ang mababang densidad ng dislokasyon at integridad ng iisang kristal.
Ang pinong 7N tellurium na ito ay mahalaga para sa mga advanced na aplikasyon, kabilang ang mga infrared detector, CdTe thin-film solar cells, at mga semiconductor substrate.
Mga Sanggunian:
nagsasaad ng mga datos na eksperimental mula sa mga pag-aaral na sinuri ng mga kapwa tao sa paglilinis ng tellurium.
Oras ng pag-post: Mar-24-2025